Tigger Sound
ห้องสมุด คลังความรู้ต่างๆ ในแวดวงเครื่องเสียง
=> สำหรับผู้ผลิตพบผู้บริโภค หรือต้องการสอบถามด้านเทคนิค เกี่ยวกับอุปกรณ์เครื่องเสียง เชิญได้ที่ห้องนี้ครับ => ข้อความที่เริ่มโดย: ครูเบียร์ ที่ มิถุนายน 06, 2009, 06:19:58 pm
-
mosfet จะให้เสียงที่แน่นกว่า bipolar นี่จะออกนุ่มๆ หรือยังไง
kiss6
-
mosfet จะให้เสียงที่แน่นกว่า bipolar นี่จะออกนุ่มๆ หรือยังไง
kiss6
ถ้าเป็นข้อแตกต่างทางด้านการใช้ประสาทสัมผัสทางหูนั้น คงเป็นดั่งที่กล่าวไว้ครับ เฟตออกแนวหนักแน่นดุดัน สะใจแต่แพง ไบโพล่า ลงลึก นุ่มนวล ถูกกว่าอันนี้แน่ๆ แต่ก็ต้องดูถึงองค์ประกอบอีก ทั้งตู้ ดอก ถึงจะบอกได้ว่าเสียงเป็นยังไง
มือมิกส์มาสิบคน ไม่เหมือนกันสักคน หูเราได้ยินไม่เท่ากัน ขอให้คนที่ฟังเขาบอกว่าใช้ได้นั้นหมายถึงความพึ่ง พอใจนั้นเอง เพราะเราต้องการให้เขาพอใจนั้นคือประเด็นสำคัญ ;D
แต่ถ้าจะบอกว่ามันต่างกันยังไง คงต้องรายยาวไปถึง จังชั่นของตัวมันเลยครับ ใครเรียน อิเลคมาตอบหน่อยครับ
smiley4 smiley4
-
ขอบคุณสำหรับคำตอบที่ได้รับ มีท่านใดที่จะให้ข้อมูลเพิ่มเติมได้อีก
kiss6
-
ผมว่ามันขึ้นอยู่ที่เราใช้ว่าเราเหมาะที่จะเป็นแบบไหนนะครับ(ตามที่เคยใช้มานะครับ)เช่นมอสเฟสที่ผ่านมากเสียงจะแข็งครับแต่ความทนแรงต้องยกนิ้วให้เลยครับ ส่วนไบโพร่า มันก็อยู่ที่เกรดครับว่าเราใช้แบบไหนความทนทานก็จะน้อยลงมากน่อยครับเสียงนุ่มครับ แต่ผมใช้ตู้สูตรดับบริวครับเลยใช้มอสเฟสขับครับต้องการแน่นแรงครับ(ไงก็ท่านต่อไปจัดต่อเลยครับความรู้มาจากการใช้งานครับ) smiley4
-
เพื่อนสมาชิคมาให้ข้อมูลได้อีก รออยู่
kiss6
-
ไม่มีใครตอบสักที หามาให้ อ่านเอาเองละกัน รูปเอามาไม่ได้ ไม่รู้วิธี โง่เอง
rolleyes2 rolleyes2 smiley4 smiley4
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่สามารถทำหน้าที่ ขยายสัญญาณไฟฟ้า เปิด/ปิดสัญญาณไฟฟ้า คงค่าแรงดันไฟฟ้า หรือกล้ำสัญญาณไฟฟ้า (modulate) เป็นต้น การทำงานของทราสซิสเตอร์เปรียบได้กับวาลว์ที่ถูกควบคุมด้วยสัญญาณไฟฟ้าขาเข้า เพื่อปรับขนาดกระแสไฟฟ้าขาออกที่มาจากแหล่งจ่ายแรงดัน
บทนำ
ทรานซิสเตอร์แบ่งได้เป็นสองประเภทคือ ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อคู่ (Bipolar Junction Transistor, BJTs) และทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้า (Field Effect Transistors,FETs) ทรานซิสเตอร์จะมีขาเชื่อมต่อสามจุด อธิบายโดยย่อคือเมื่อมีการปรับเพิ่มแรงดันไฟฟ้าที่ขาหนึ่งจะส่งผลให้ความนำไฟฟ้าระหว่างขาที่เหลือสูงขึ้นอันทำให้สามารถควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าได้ อย่างไรก็ตามหลักทางฟิสิกส์ในการทำงานของทรานซิสเตอร์ทั้งสองแบบ(ชนิดรอยต่อคู่และชนิดสนามไฟฟ้า)มีความแตกต่างกันอยู่มาก ในวงจรอนาลอกนั้นทรานซิสเตอร์จะถูกใช้ขยายสัญญาณต่างๆ เช่น สัญญาณเสียง สัญญาณความถี่วิทยุ หรือควบคุมระดับแรงดัน รวมทั้งเป็นแหล่งจ่ายไฟฟ้าแบบสวิชชิ่งในเครื่องคอมพิวเตอร์ด้วย ทราสซิสเตอร์ก็ยังถูกใช้ในวงจรดิจิทัล เพียงแต่ใช้งานในลักษณะการเปิด/ปิดเท่านั้น วงจรดิจิทัลเหล่านั้นได้แก่ วงจรตรรกะ (Logic gate), หน่วยความจำแบบสุ่ม (Random Access Memory, RAM) และไมโครโพรเซสเซอร์ เป็นต้น
ประวัติ
ในปี ค.ศ. 1928 สิทธิบัตรใบแรกของหลักการทำงานของทราสซิสเตอร์ได้ถูกจดทะเบียนโดย Julius Edgar Lilienfeld ในประเทศเยอรมนีนี ต่อมาในปี ค.ศ. 1934 นักฟิสิกส์ชาวเยอรมันชื่อ Dr. Oskar Heil ได้ขึ้นทะเบียนหลักการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้า และในปี 1947 นักวิจัยชื่อ John Bardeen, Walter Brattain และ William Shockley ก็ประสบความสำเร็จในการสร้างทรานซิสเตอร์ที่เบลแล็บ พร้อมทั้งส่งเข้าสู่สายการผลิตที่ เวสเทอร์นอิเล็กทรอนิกส์ ออลเลนทาวน์ รัฐเพนซิลวาเนีย เพียงสองทศวรรษต่อจากนั้น ทรานซิสเตอร์ก็ได้เข้าไปทดแทนเทคโนโลยีหลอดสูญญากาศในเครื่องใช้อิเล็กทรอนิกส์แทบทุกชนิดและก่อให้เกิดอุปกรณ์ชนิดใหม่ๆ มากมายเช่น วงจรรวม และ เครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล เป็นต้น
คำว่าทรานซิสเตอร์เกิดจากการรวมคำว่า transconductance หรือ transfer และคำว่า resistor เพราะตัวอุปกรณ์นั้นทำงานคล้ายวาริสเตอร์ (Varistor) คือสามารถเปลี่ยนค่าความต้านทานได้ ดังนั้นการตั้งชื่อจึงสามารถบรรยายการทำงานในเบื้องต้นได้
ในเดือนสิงหาคม ค.ศ. 1948 นักฟิสิกส์ชาวเยอรมันชื่อ Herbert F. Matare และ Heinrich Walker ซึ่งทำงานกับบริษัทลูกของ Westinghouse Corporation ในเมืองปารีส ฝรั่งเศส ได้จดสิทธิบัตรตัวขยายสัญญาณแบบโซลิดสเตทในชื่อว่า ทรานซิสตรอน เพราะว่าทางเบลแล็บไม่ได้เปิดเผยการค้นพบจนปี ค.ศ. 1948 ทรานซิสตรอนจึงถือเป็นการพัฒนาที่เกิดขึ้นโดยไม่เกี่ยวข้องกับทรานซิสเตอร์ในขณะนั้น การค้นพบทรานซิสตรอนของ Matare เกิดจากการสังเกตการเปลี่ยนความนำไฟฟ้าในเจอมันเนียมไดโอดจากอุปกรณ์เรดาร์ในสงครามโลกครั้งที่สอง ทรานซิสตรอนนี้ถูกนำมาขายและใช้งานในบริษัทโทรศัพท์และทางทหารของประเทศฝรั่งเศส และในปี ค.ศ. 1953 เครื่องรับวิทยุต้นแบบที่ทำงานจากทรานซิสตรอน 4 ตัวถูกนำมาแสดงในงาน Dusseldorf Radio Fair.
ความสำคัญ
ทรานซิสเตอร์ถือว่าเป็นหนึ่งในการประดิษฐ์ที่สำคัญในประวัติศาสตร์ยุคใหม่ เฉกเช่น การพิมพ์ รถยนต์ และโทรศัพท์ ทรานซิสเตอร์ถือว่าเป็นอุปกรณ์แบบแอ็คทีฟหลักในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ ความสำคัญของทรานซิสเตอร์ในทุกวันนี้เกิดจากการที่มันสามารถถูกผลิตขึ้นด้วยกระบวนการอัตโนมัติในจำนวนมากๆ (fabrication) ในราคาต่อชิ้นที่ต่ำ
แม้ว่าทรานซิสเตอร์แบบตัวเดียว (Discrete Transtor)หลายล้านตัวยังถูกใช้อยู่แต่ทรานซิสเตอร์ส่วนใหญ่ในปัจจุบันถูกสร้างขึ้นบนไมโครชิป (Micro chip) หรือเรียกว่าวงจรรวม พร้อมกับไดโอด ตัวต้านทานและตัวเก็บประจุเพื่อประกอบกันเป็นวงจรอิเล็กทรอนิกส์ วงจรอนาลอก ดิจิทัล หรือวงจรสัญญาณผสม (Mixed Signal) ถูกสร้างขึ้นบนชิปตัวเดียวกัน ต้นทุนการออกแบบและพัฒนาวงจรรวมที่ซับซ้อนนั้นสูงมากแต่เนื่องจากการผลิตที่ละมากๆ ในระดับล้านตัวทำให้ราคาต่อหน่วยของวงจรรวมนั้นต่ำ วงจรตรรกะ (Logic Gate) ประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ประมาณ 20 ตัว ในขณะที่หน่วยประมวลผล(Microprocessor) ล่าสุดของปี ค.ศ. 2005 ประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ราว 289 ล้านตัว
เนื่องด้วยราคาที่ถูก ความยืดหยุ่นในและความเชื่อถือได้ในการทำงาน ทรานซิสเตอร์จึงเปลี่ยบเหมือนอุปกรณ์ครอบจักรวาลในงานที่ไม่ใช่งานกล เช่น คอมพิวเตอร์แบบดิจิทัล เป็นต้น วงจรที่ทำงานด้วยทรานซิสเตอร์ยังได้เข้ามาทดแทนอุปกรณ์เชิงกล-ไฟฟ้า (Electromechanical) สำหรับงานควบคุมเครื่องมือเครื่องใช้ และเครื่องจักรต่างๆ เพราะมันมีราคาถูกกว่าและการใช้วงจรรวมสำเร็จรูปร่วมกับการเขียนโปรแกรมคอมพิวเตอร์นั้นมีประสิทธิภาพในใช้งานเป็นระบบควบคุมดีกว่าการใช้อุปกรณ์เชิงกล
เนื่องด้วยราคาที่ถูกของทรานซิสเตอร์และการใช้งานคอมพิวเตอร์แบบดิจิทัลที่เกิดขึ้นต่อมาก่อให้เกิดแนวโน้มการสร้างข้อมูลในเชิงเลข (Digitize information) ด้วยเครื่องคอมพิวเตอร์ที่มากด้วยความสามารถในการค้นหา จัดเรียงและประมวลผลข้อมูลเชิงเลข และทำให้มีความพยายามมากมายเพื่อผลักดันให้เกิดการสร้างข้อมูลแบบดิจิทัล สื่อหลายๆ ประเภทในปัจจุบันถูกส่งผ่านรูปแบบของดิจิทัลโดยนำมาแปลงและนำเสนอในรูปแบบอนาลอกด้วยเครื่องคอมพิวเตอร์ การปฏิวัติทางดิจิทัลเช่นนี้ส่งผลกระทบสื่อเช่น โทรทัศน์ วิทยุ และหนังสือพิมพ์
ประเภทของทรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อคู่ (Bipolar junction transistor)
ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อคู่ (BJT) เป็นทรานซิสเตอร์ชนิดหนึ่ง มันเป็นอุปกรณ์สามขั้วต่อถูกสร้างขึ้นโดยวัสดุสารกึ่งตัวนำที่มีการเจือสารและอาจจะมีการใช้ในการขยายสัญญาณหรืออุปกรณ์สวิทชิ่ง ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อคู่ถูกตั้งขึ้นมาตามชื่อของมันเนื่องจากช่องการนำสัญญาณหลักมีการใช้ทั้งอิเล็กตรอนและโฮลเพื่อนำกระแสไฟฟ้าหลัก โดยแบ่งออกได้อีก2ชนิดคือ ชนิดเอนพีเอน(NPN) และชนิดพีเอนพี(PNP) ตามลักษณะของการประกบสารกึ่งตัวนำ
ทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้า (Field-effect transistor)
ทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้า(FET) มีขาต่อสามขา คือ ขา เดรน(drain) เกท(gate) ซอร์ส(source) หลักการทำงานแตกต่างจากทรานซิสเตอร์แบบหัวต่อไบโพลาร์(BJT) นั่นคืออาศัยสนามไฟฟ้าในการสร้างช่องนำกระแส(channel) เพื่อให้เกิดการนำกระแสของตัวทรานซิสเตอร์ ในแง่ของการนำกระแส ทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้าและแบบหัวต่อไบโพลาร์มีลักษณะของกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านอุปกรณ์ที่แตกต่างกัน นั่นคือกระแสในทรานซิสเตอร์แบบหัวต่อไบโพลาร์จะเป็นกระแสที่เกิดจากพาหะส่วนน้อย(minor carrier) แต่กระแสในทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าจะเกิดจากพาหะส่วนมาก(major carrier)
ทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้าฟ้าแบ่งเป็น 3 ประเภทหลักๆ คือ
- JFET
- MESFET
- MOSFET ซึ่งแบ่งเป็นสองแบบคือ แบบ depletion และ enhancement
ทรานซิสเตอร์แบบสนามไฟฟ้าประเภทที่นิยมใช้กันมากที่สุดในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ คือ MOSFET เพราะสามารถทนแรงดันไฟฟ้าได้สูงและราคาถูก
วัสดุสารกึ่งตัวในที่ใช้กับทรานซิสเตอร์
ออกไซด์ของซิลิกอน
ออกไซด์ของเจอเมเนียม
บรรจุภัณฑ์ของทรานซิสเตอร์
มีหลากหลายประเภท ตั้งแต่ตัวถังแบบพลาสติก โลหะ ลักษณะอาจเป็นตัวถังกลม แบน หรือแบบจานบิน
การใช้งานทรานซิสเตอร์
การใช้งานเป็นสวิตช์แบบอิเล็กทรอนิกส์
แบบ NPN จะต่อโหลดเข้าขา C ของทรานซิสเตอร์และต่อไฟลบเข้าขา E จากนั้นให้ทำการไบอัสกระแสเข้าขา B ซึ่งกระแสจะไหลจากขา C ไปยังขา B มากหรือน้อยขึ้นอยุ่กับการไบอัสกระแสที่ขา B ส่วนแบบ PNP จะต่อเข้าในลักษณะคล้ายกันเพียงแต่จะต่อสลับกันระหว่างขา B และ C
จุดเด่นของทรานซิสเตอร์ที่เหนือกว่าหลอดสูญญากาศ
ทรานซิสเตอร์มีความร้อนต่ำกว่า และเล็กกว่า จึงทำให้ประหยัดเนื้อที่ของวงจรทำให้อุปกรณ์ในปัจจุบันมีขนาดเล็กลง กินไฟน้อยลง
ที่มา วิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
มอสเฟตมาจากคำว่า Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor เป็นเฟตที่ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำซึ่งได้รับ การเคลือบผิวบางส่วนด้วยโลหะออกไซด์ข้อเด่นของเฟตชนิดนี้คือ มีค่าความต้านทานอินพุต (หมายถึงค่าความต่านทานที่เกต ) สูงมาก
รูปแสดงวงจรสัมมูลย์ของ MOSFET
ข้อแตกต่างระหว่างเจเฟตกับมอสเฟตในเรื่องของโครงสร้างคือ ที่ขั้วต่อขาเกตของมอสเฟตจะมีฉนวนกั้นกลาง ดังนั้นขาเกต จึงไม่ถูกต่อเข้าโดยตรงกับชิ้นสารกึ่งตัวนำ สำหรับฉนวนกั้นกลางให้สารซิลิกอนออกไซด์
มอสเฟตยังแบ่งเป็น 2 แบบ คือ
แบบดีพลีชั่น (depletion)
และแบบเอนฮานซ์เมนต์ (enhancement)
การทำงานของมอสเฟตแบบดีพลีชั่น พิจราณาจากรูป ให้ขาเกตมีแรงดันเป็นลบ เมื่อเทียบกับขาซอร์สจะทำให้มีประจุลบเกิดขึ้น ที่ขาเกต และเกิดประจุบวกปรากฏขึ้นทางด้านที่ติดฉนวนซิลิกอนออกไซด์ ส่งผลให้เนื้อสารเอ็นที่มีอยู่น้อยมีขนาดลดลง ทำให้ช่องว่างระหว่าง ขาเดรนและซอร์สมากขึ้น กระแสก็จะไหลได้น้อยลง ลักษณะการทำงานเช่นนี้จะเหมือนกับการทำงานของเจเฟต
รูป แสดงโครงสร้างของมอสเฟตแบบ Depletion
รูป แสดงสัญลักษณ์ของมอสเฟตแบบ Depletion
กราฟลักษณะสมบัติของ D-MOSFET N-CHANNEL
กราฟลักษณะสมบัติของ E-MOSFET N-CHANNEL
มอสเฟตแบบเอนฮานซ์เมนต์ (enhancement)
การทำงานของมอสเฟตแบบเอนฮานซ์เมนต์ พิจราณาจากรูป เนื่องจากระหว่างสารเอ็นที่ขาเดรนและซอร์สเป็นสารพี ซึ่งแตกต่าง จากมอสเฟตแบบดีพลีชั่น ทำให้เมื่อป้องแรงดันบวกเข้าที่ขาเกต จะเกิดประจุลบขึ้นทำให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่จากสารเอ็นที่ขาซอร์สมายังเครนได้ จึงทำให้มอสเฟตทำงานได้ ดังนั้นมอสเฟตแบบนี้จะทำงานได้ต้องป้องแรงดันที่ขาเกตเป็นแรงดันบวกเท่านั้น และแรงระหว่างขาเกตและซอร์ส (Vgs) ที่ป้อนให้นี้ต้องมีค่ามากกว่า Vgs (th) (Gate Source thresshold voltage)
รูป แสดงโครงสร้างของมอสเฟตแบบ Enhancement
รูป แสดงสัญลักษณ์ของมอสเฟส แบบ Enhancement
กราฟลักษณะสมบัติของ E-MOSFET P-CHANNEL
คุณลักษณะการถ่ายโอนของ E-MOSFET P-CHANNEL
-
ขอขอบคุณที่ให้ข้อมูล มีท่านใดที่จะเพิ่มเติม
kiss6
-
ยาวๆ ได้ใจความ....เยี่ยม ;D
-
เท่าที่ผมเคยลองเทียบกันระหว่าง modify me500 กับ s1200ใช้ขับดอกยูโรสติกเกอร์เขียว
ข้างละสองดอกความแรงที่ใด้ไม่ต่างกันs1200เบสจะนุ่มและแน่นกว่าลองเพิ่มตู้เป็นข้างละสาม
ตอนนี้ me500เบสกระแทกหน้าอกตึ๊บๆเลยส่วน s1200เบสไม่ดีเท่าข้างละสองไม่ใด้ผ่าน
เครื่องปรุงอะไรมากแค่ออกจากมิกส์เข้าเพาเวอร์เลย
-
เท่าที่ผมได้ลองมานะครับ มอสเฟต จะได้ความแข็ง ความกระแทกกระทั้นของกระเดื่องกลองครับ จะออกแน่นๆ แข็งๆ พุ่งออกเป็นเม็ดเป็นลูก ถ้าเป็นเสียงกลาง เสียงดังตับแตก ว่างั้นเถอะเสียงแหลม ก็แหลมบาดหู เหมาะสำหรับเครื่องไฟ ลองหาแอมป์หน้าทองมาฟังดูครับ ไบโพล่าร์ จะออกนุ่มๆไม่แข็ง ทุ้มนุ่มนวล เสียงกลางก็หวาน ไม่จัดจ้าน แหลม ก็ใสละเอียดดี เหมาะสำหรับงานดนตรีมากกว่า (ความเห็นส่วนตัวนะครับ) แอมป์เบสผมจะใช้มอสเฟตจานบิน
K-176+J-56 ส่วนกลางแหลม ผมใช้ทรานซิสเตอร์(ไบโพล่าร์) ครับ
-
kiss6
-
วงจรเดิม bipolar จะเปลี่ยนเป็น mosfet จะได้ไหม
kiss6
-
ลองใช้วงจรของ แจ็ก sound ใช้ใด้ทั้ง mosfet และ bipolar ทุกเบอร์
-
ลองใช้วงจรของ แจ็ก sound ใช้ใด้ทั้ง mosfet และ bipolar ทุกเบอร์
TR 07 ก็ได้ครับ ใช้ได้ทั้งเฟต และไบโพล่าร์
-
เพื่อนสมาชิคท่านใดลองทำแล้วช่วยแจ้งผลด้วย
-
ถ้าใช้ดอกลำโพงแพงๆควรหลีกเลี่ยง แอมมอสเฟ็ท เพราะมันออสซิลเลทความถี่สูงได้ง่ายส่งผลให้ลำโพงขาดได้ง่ายกว่าไบโพล่า
ถ้าจะใช้ต้องเป็นวงจรที่ออกแบบมาดีมากๆ และเป็นวงจรที่ถูกออกแบบมาใช้กับมอสเฟ็ทโดยเฉพาะ
วงจรที่ใช้กับไบโพล่าถ้าจะนำมาใช้กับมอสเฟ็ทก็ต้องแก้วงจรเพื่มมีการป้องกันการออสซิลเลทที่ดีเยี่ยม
ผมเคยโดนมาแล้วตอนสมัยที่หัดประกอบแอมครับ ออกแบบประกอบไม่ดีพอเครื่องมันออสซิลเลทว้อยส์ใหม้ดำเป็นตอตะโกเลย
-
8)แต่ผมประกอบขายให้ลูกค้า 40-50 ตัวแล้ว แต่ก็ยังไม่มีปัญหานะครับใช้ดีจริงๆขอบอกครับ smiley4 smiley4
เดียววันหลังจะเอารูปมาให้ดูครับพี่น้อง
-
8)แต่ผมประกอบขายให้ลูกค้า 40-50 ตัวแล้ว แต่ก็ยังไม่มีปัญหานะครับใช้ดีจริงๆขอบอกครับ smiley4 smiley4
เดียววันหลังจะเอารูปมาให้ดูครับพี่น้อง
อยากเห็นเครื่องจัง
-
ราคาก็ต่าง smiley4
-
ส่วนตัวชอบมอสเฟทครับ ทน แรง อึด ถ้าเล่นแรง ๆ สบายใจได้ไม่ต้องห่วงว่าจะพัง ประกอบให้ลูกค้าหลายเครื่องไม่เคยมีปัญหา รับโหลดต่ำ ๆ ได้ดี แต่ราคาแพงไปหน่อยลูกค้าไม่ค่อยสู้ราคา ตอนนี้ก็เลยต้องทำเครื่อง ไบโพล่า ด้วย smiley4
-
ส่วนตัวก็ชอบมากเลยแหละครับหนักหน่อยกะทน อัดเพลง แต่ละเพลงนะ จุกอกครับ :sad2:
Wข้างละ4 บ้านนอกเล่นครับๆๆ
ของผมเอง
อิอิ
-
ส่วนตัวชอบมอสเฟทครับ ทน แรง อึด ถ้าเล่นแรง ๆ สบายใจได้ไม่ต้องห่วงว่าจะพัง ประกอบให้ลูกค้าหลายเครื่องไม่เคยมีปัญหา รับโหลดต่ำ ๆ ได้ดี แต่ราคาแพงไปหน่อยลูกค้าไม่ค่อยสู้ราคา ตอนนี้ก็เลยต้องทำเครื่อง ไบโพล่า ด้วย smiley4
โชว์เครื่องที่ประกอบแล้วให้ดูซิ
-
โทษทีที่ให้รองานเยอะตามนี้เลย
http://www.tiggersound.com/webboard/index.php?topic=23049.0
-
แต่ก่อนเคยคิดว่าไบโพร่าเบสจะสู้มอสเฟสไม่ใด้ครับ ชุดเก่าเล่นมอสเฟสทั้งหมดซื้อสำเร็จสองตัวนอกนั้ต่อเองหมดอีกสามตัว ว่าจะเลิกเล่นครับขายไปทั้งหมด แต่มาคิดเล่นใหม่ก็คิดว่าจะเล่นมอสเฟสกะว่าจะต่อใช้เอง พอดีมีงานเข้าเร็วก็เลยยืมของเพือนมาเล่น มีมอสเฟส สองแท่นไบโพร่าสองแท่น(มอสเฟส2000หนึ่งแท่น1000หนึ่งแท่น)ไบโพร่าE3000สองแท่น ลองสลับเล่นดูผมว่ามอสเฟสดังผมว่ามันรกหูนะครับยี่งเร่งๆรกแต่ผมว่าไบโพร่าฟังมันไม่โฉ่งฉ่าผม ว่ามันดังสอาดหูดีไม่รำคานเวลาอัดแรงๆมันไม่ฝ้า และตอนแรกขยายไม่ค่อยมีขับผมใช้E3000ขับดอก18ชาเลนเจอร์
ข้างละ5ดอกเลยครับใช้อยู่สองงานผ่านครับ(แต่ระยาวๆไม่รู้จะสู้มอสเฟสใด้หรือเปล่าไม่รู้)ตอนนี้ผมใช้E4000ขับเบสชาเลนเจอร์สิบดอก สองตัวใช้E3000ขับกลาง15e200s 16fvdสองตัวและแหลมD750แปดดอก และเป็นสวิทชิ่ง
เป็นของเก่านอกอีกหนึ่งตัว ผมว่าอยู่ที่เราชอบครับลองดูครับจากที่ผมเคยชอบมอสเฟส(ใช้เล่นดนตรีสดครับ) smileyy
-
ส่วนตัวผมชอบมอสเฟตถึงจะแพงหน่อยแต่ก็คุ้มในระยะยาว
bipolar ที่ว่าเสียงนุ่ม mosfet ก็ทำให้นุ่มเช่นกัน มันอยู่ที่วงจร
smileyy loveit
-
TR. fet. นุ่ม/แข็ง การทำวงจร เป็นสิ่งสำคัญ คราวน์-แมคโครเท็ค ก็ใข้ TR.output QSC..ใช้ TR. เช่นกัน จากที่ใด้ฟัง ก็ไม่แตกต่าง อีกอย่างชุดปรุงรสเสียงก็เป็นองค์ประกอบด้วย จบ..
-
bipolar เสียงยุ่มกว่าครับ mosfet ผมทำขับเบสน่ะ โหลดได้เยอะดี brow
(http://tiggersound2.com/upload/imagesMember/2010/10/09/39408_1286559302.jpg)
-
มี s 1200 อยู่ตัว ขับกลางข้างละ 15 อยู่ 3 ใบ แอมป์ไหม้ข้างหนึ่ง เดี๋ยวนี้จับเพิ่ม c เปลี่ยนไดร เป็น มอสเฟส ไม่มีปัญหา(เป็นความเห็นส่วนตัวนะครับ)
-
แตกต่างกันบ้างไบโพล่าทรานซิสเตอร์ทำงานด้วยกระแส ขาbเขาต้องการกระแสและกำลังงานจึงจะดังและหนักแน่น วงจรต้องสมบูรณ์พร้อม ส่วนมอสเฟสทำงานด้วยโวลล์วงจรไม่ซับซ้อนแค่มีโวลล์มาแหย่นิดๆที่ขาเกทก็ดังแล้ว
ทั้งหมดเสียงจะดีหรือไม่ดีอยู่ที่การแก้ไขระบบของวงจรนั้นๆ ว่าแก้มาดีหรือเปล่าเมื่ออัดเบสหนักๆ กระแสหรือโวลล์ไม่พอแก้อย่างไรเสียงจะไม่ตกหรือเสียงแตก ยี่ห้อARX จากอังกฤษของท่านปรีชา พิษณุโลก ฟังแล้วหลายคนมานั่งเถียงกันว่าเสียงไบโพล่าแน่นอน แกะฝาเครื่องออกมาเป็นมอสเฟสมอสเฟสBUZ901+906ไปได้ไง
...แค่นี้ก่อนครับ
-
...แค่นี้ก่อนครับ
ผมก่ว่าเช่นนั้นครับ อะไรก็เป็นไปได้ทั้งนั้น องค์ประกอบอื่นๆยังมีอีกมากมายหาข้อสรุปไม่ได้
-
แต่ก่อนเคยช่วยลูกพี่วสันต์ซาวด์ในตัวเมืองเชียงรายประกอบแอมป์มอสเฟสขายตอนนั้นใช้มอสเฟสจานบินประกอบไม่ทันเลยครับเพราะว่าวงจรที่ใช้ทรานซิสเตอร์วัตต์สูงๆยังไม่มีเสียงก็ OK.แต่มาช่วงหลังๆวงจรทรานซิสเตอร์ได้มีการเปลี่ยนแปลงไปเยอะส่วนตัวชอบทรานซิสเตอร์ครับรายละเอียดของเสียงมีเยอะกว่าและเสียงไม่กระด้างครับความเห็นส่วนตัวนะครับอย่าคิดมาก
-
แตกต่างกันบ้างไบโพล่าทรานซิสเตอร์ทำงานด้วยกระแส ขาbเขาต้องการกระแสและกำลังงานจึงจะดังและหนักแน่น วงจรต้องสมบูรณ์พร้อม ส่วนมอสเฟสทำงานด้วยโวลล์วงจรไม่ซับซ้อนแค่มีโวลล์มาแหย่นิดๆที่ขาเกทก็ดังแล้ว
ทั้งหมดเสียงจะดีหรืดไม่ดีอยู่ที่การแก้ไขระบบของวงจรนั้นๆ ว่าแก้มาดีหรือเปล่าเมื่ออัดเบสหนักๆ กระแสหรือโวลล์ไม่พอแก้อย่างไรเสียงจะไม่ตกหรือเสียงแตก ยี่ห้อARX จากอังกฤษของท่านปรีชา พิษณุโลก ฟังแล้วหลายคนมานั่งเถียงกันว่าเสียงไบโพล่าแน่นอน แกะฝาเครื่องออกมาเป็นมอสเฟสมอสเฟสBUZ901+906ไปได้ไง
...แค่นี้ก่อนครับ
ชอบใจอ.สถิตย์ ชี้จดทำงานของTRและFET ได้อย่างชัดแจ้ง เข้าใจง่ายจริง ....555..ส่วนตัวผมเคยประกอบแอมป์มอสเฟ็ตทั้งใช้เองและขาย ก็ใช้แต่วงจร hafler(NTN) ยอดฮิตในสมัยนั้น อีกวงจรเป็นพิมพ์นิยมที่npeใช้อยู่จนถึงปัจจุบันคือบอร์ด260ก็แซ่บดี และยังหาTRในสมัยนั้นเทียบไม่ได้เลย แต่มายุคนี้ TRที่แรงๆทนโวลท์สูงๆมีเยอะ วงจรดีๆก็ออกมาบาน สุ้มเสียงก็ปรับแต่งได้ดังใจ ราคาถูกมากๆ ทำให้ปัจจุบันลืมFETไปเลยครับ......อิอิ...ว่าไปเรื่อย
-
ขึ้นอยู่กับราคาของอุปกรณ์ดว้ยครับ ถ้า mosf ตัวละ /20 งานนี้คงลืม TR แน่ๆเลย brow
-
แตกต่างหรือ.....ถ้าแบบภาษารากหญ้าก็คือ มอสเฟตเวลาร้อนยิ่งอัตราขยายยิ่งหด ส่วน ทรานซิสยิ่งร้อนยิ่งคึกครับ อิอิ ...ในการใช้งาน บางคนถึงบอกว่า ทรานซิสใจเสาะกว่ามอสเฟต เวลาจับมาเป็นเอาพุทให้กับภาคขยาย เสียงมอสเฟตจะคึกคักหนักแน่นสะใจ แต่เจ้าทรานซิส... จะนุ่มเนียนกังวานดี ต้องชั่งใจเอาแล้วแต่คนชอบ ราคาก็ต่างกัน
-
เอ..ผมมี 3 แท่น ไม่รู้เป็น เฟตหรือเปล่า มันไม่เหมือนกัน..เลย..
1. NPE 300 FET น่าจะเป็นเฟต แต่แบบใหนไม่รู้...ผมรื้อเป่าฝุ่นประจำ ก็ไม่เห็นภาคขยายมันซ่อนอยู่ในพัดลมซิ่งอลุมิเนียม
2. Royal P-800 จำได้ตอนซื้อ ร้านขายบอกเป็นเฟต.. ก็เห็น เป็นไอซี 3 ขาเป็นแถว..
3. ตัวนี้ ตัวแรกที่ซื้อ บ้านหม้อ.. ตุลา ไม่มีพัดลม ไอซีอยู่ข้างนอกตัวแอมป์ มีข้างละ 8 ตัว เป็นจานบิน..อันนี้ช่างบอกเฟต..
ทุกวันนี้ ผมเอา Royal P-800 ขับซับ W 18" ข้างละ 2 ดอก
ตุลา ( ไม่รู้กี่วัตต์) ขับ 15" กึ่งซับ-กลาง ข่างละ ดอก.. เป็นตู้เสียงกลางโรงงาน ดอก OBOM 1 คุ่
และ ตู้รากหญ้า NAKOYA มี แซกเล็กๆ ตู้ละ 2 แซก 1 คู่
NPE-300 FET ขับ 12" ปากแต กับ แซก P-AUDIO ตัวใหญ่สุด 1 คุ่ ( ปรับเป็นเสียงแหลมอย่างเดียว ) ไม่เร่งมาก ดังแสบหู้มากรุ่นนี้
ไม่รู้ว่าผมจะเอา ตุลาไปขับซับ 18 ดีมั๊ย ผมเคยลองแล้ว เสียงมันไม่แน่น เสียงมันหาย ถ้าต่อรวมกับ Royal แต่ถ้าเอา royal ออก มันแน่นขึ้นมาเลย ( ไม่ต้องเอาออกก็ได้ ) พอเราปิด royal เบสแน่ขึ้นมา บึ๊กๆเลย แต่พอเปิด ปุ๊บ เบสหาย
จะแก้ยังไงครับ... ผมเลยเอา royal มาขับเบส..
-
ไม่รู้ว่าผมจะเอา ตุลาไปขับซับ 18 ดีมั๊ย ผมเคยลองแล้ว เสียงมันไม่แน่น เสียงมันหาย ถ้าต่อรวมกับ Royal แต่ถ้าเอา royal ออก มันแน่นขึ้นมาเลย ( ไม่ต้องเอาออกก็ได้ ) พอเราปิด royal เบสแน่ขึ้นมา บึ๊กๆเลย แต่พอเปิด ปุ๊บ เบสหาย
จะแก้ยังไงครับ... ผมเลยเอา royal มาขับเบส..
ยัง..งง..อยู่ครับ ต่อรวมอย่างไร ต่อเครื่องละตู้หรือเปล่า
-
ลองใช้ของ อ.อ้นดูครับ PHT2000DSD
-
แล้วแต่ความชอบและการใช้งานครับของผมเบสกับเสียงกลางใช้มอสเฟส กลางจะใส เบสจะกระแทกแน่นถึงนุ่มแล้วแต่ปรับความถี่ครอส ส่วนเสียงกลางใช้ไบโพล่าครับไม่แสบหู ไม่กินว้อย แล้วแต่คนชอบของแต่ละคนครับผมนำมาผสมกันครับ
-
**ถ้าดูภายนอก..จะรู้ได้อย่างไรว่าเครื่องไหนเป็นมอสเฟต และเครื่องไหนเป็นไบโพล่า ครับ น้องใหม่ครับ... smiley4 smiley4 smiley4